近日，粉末冶金研究院青年教師唐思危關(guān)于Cr1/3NbS2二維材料中磁孤子（soliton）自旋螺旋數(shù)的量化調(diào)控的*新研究成果在納米材料類國際知名期刊Nano Letters (IF=12.712)在線發(fā)表關(guān)于的*新研究成果。

    論文題為“Tuning magnetic soliton phase via dimensional confinement in exfoliated 2D Cr1/3NbS2 thin flakes”（DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b01546）。中南大學(xué)為*通訊單位，唐思危博士為論文*作者。

    本論文發(fā)現(xiàn)二維Cr1/3NbS2納米薄片厚度為200nm的時候，磁化曲線的一階微分顯示出階梯式的磁孤子晶格內(nèi)部轉(zhuǎn)變行為。隨著薄片厚度接近手性螺旋周期長（46nm），新的孤子峰出現(xiàn)。

    論文從理論上解釋了孤子峰的出現(xiàn)和湮滅是由于在尺寸限制下，孤子晶格內(nèi)的自旋螺旋發(fā)生了合并與分裂。

    在這種材料中，孤子中的自旋螺旋直徑在1納米以下，所以自旋螺旋平面排布可以使得器件的存儲密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于當(dāng)前的極限值，自旋螺旋結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和厚度可調(diào)性使Cr1/3NbS2自旋電子材料具有超越物理極限的潛力。

    該文章為磁存儲芯片設(shè)計提供了一種新的高效、穩(wěn)定的潛力材料，為我國自主研發(fā)新型芯片提供了一種創(chuàng)新的方式。

    這一發(fā)現(xiàn)，將有望使我國超前布局新型芯片材料和裝備，實(shí)現(xiàn)對現(xiàn)有芯片技術(shù)的顛覆與超越。