6月6日，“十四五”國家重點研發(fā)計劃 “面向第三代半導體應用的高頻軟磁材料”項目研討會在北京順利召開，安泰科技作為課題四“第三代半導體電源模塊關(guān)鍵技術(shù)集成研究與應用”的牽頭單位參加會議并作交流。

本項目由東南大學牽頭，安泰科技作為從事非晶合金生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)與制造的領軍企業(yè)，憑借在該領域的深厚技術(shù)積累和*實力，牽頭組織實施課題四的研究內(nèi)容，為項目順利開展提供了堅實支撐。

研討會上，安泰科技非晶制品分公司總經(jīng)理劉天成就第三代半導體電源模塊關(guān)鍵技術(shù)集成研究與應用進行了詳細匯報，基于公司開發(fā)的高性能納米晶軟磁合金，課題參研單位順利完成了SiC半導體器件可編程電源和GaN半導體器件充電電源設計、樣機制作、第三方性能檢測及應用示范，達到考核指標要求。

總體專家組副組長張世超教授、責任專家王海北教授對項目整體進展情況給予高度評價，對安泰科技在項目中取得的成果和做出的貢獻給予充分肯定。專家組認為，項目技術(shù)指標已提前完成，標志著我國在開發(fā)適用于 SiC/GaN 第三代半導體功率電源和高端電感器件的高性能軟磁材料體系及其制備工藝技術(shù)方面取得了重大突破。

未來，安泰科技將繼續(xù)攜手項目團隊，深入研究材料高頻損耗及磁化作用機理，致力于實現(xiàn)新型高性能軟磁材料在 SiC/GaN 第三代半導體高頻電源、高端電感等元器件中的關(guān)鍵技術(shù)集成與示范應用，為提升我國相關(guān)高技術(shù)領域的技術(shù)競爭力貢獻力量，持續(xù)鞏固行業(yè)領軍地位，*高頻軟磁材料技術(shù)發(fā)展新潮流。